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ICP 干法刻蚀工艺
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等离子刻蚀腔体
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干法刻蚀

ICP/RIE 干法刻蚀工艺,高精度图形转移

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工艺详情

干法刻蚀是半导体制造中的关键图形转移工艺。凯珀纳米配备 ICP(电感耦合等离子体)和 RIE(反应离子刻蚀)设备,可实现硅、二氧化硅、氮化硅、金属等多种材料的高精度刻蚀。工艺特点:高选择比、高均匀性、侧壁形貌可控。
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